收藏本站
IDT70T3339/19/99S
High-Speed 2.5V 512/256/128K x 18 Dual-Port Static RAM
Pin Configurations(con't) (3,4,5,6,9)
01/13/03
Industrial and Commercial Temperature Ranges
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11
12
13 14
15
16 17
I/O 9L
NC
INT L
V SS
V SS
COL L
TDO
TDI
NC
A 17L(2)
A 16L
A 13L
A 12L
A 9L
A 8L
NC
NC
CE 0L
V DD
V SS
CLK L
ADS L
CNTEN L
A 5L
A 4L
A 1L
A 0L
NC
OPT L
V DDQR
NC
I/O 8L
V SS
NC
A
B
V DDQL
I/O 9R
V DDQR PIPE/ FT L A 18L(1)
A 14L
A 10L
UB L
CE 1L
V SS
R/ W L
A 6L
A 2L
V DD
I/O 8R
NC
V SS
C
NC
V SS
I/O 10L
NC
A 15L
A 11L
A 7L
LB L
V DD
OE L REPEAT L
A 3L
V DD
NC
V DDQL
I/O 7L
I/O 7R
D
I/O 11L
NC
V DDQR I/O 10R
I/O 6L
NC
V SS
NC
E
V DDQL I/O 11R
NC
V SS
V SS
I/O 6R
NC
V DDQR
F
NC
V SS
I/O 12L
NC
NC
V DDQL
I/O 5L
NC
G
V DD
NC
V DDQR I/O 12R
70T3339/19/99BF
V DD
NC
V SS
I/O 5R
H
V DDQL
I/O 14R
NC
V DDQL
NC
V DD
V SS
I/O 14L
NC
V SS
V SS
I/O 13R
V DDQR
I/O 15R
NC
ZZ R
V SS
I/O 13L
V SS
I/O 15L
BF-208 (7)
208-Pin fpBGA
Top View (8)
ZZ L
I/O 3R
NC
V SS
I/O 1R
V DD
V DDQL
I/O 3L
NC
V DDQL
V SS
I/O 4R
V SS
I/O 2R
NC
V DDQR
V SS
I/O 4L
V DDQR
I/O 2L
J
K
L
M
N
I/O 16R
I/O 16L
V DDQR COL R
TRST
A 16R
A 12R
A 8R
NC
V DD
CLK R CNTEN R
A 4R
NC
I/O 1L
V SS
NC
P
V SS
NC
NC
I/O 17L
I/O 17R
V DDQL
TCK
TMS
A 17R(2)
A 18R(1)
A 13R
A 14R
A 9R
A 10R
NC
UB R
CE 0R
CE 1R
V SS
V SS
ADS R
R/ W R
A 5R
A 6R
A 1R
A 2R
NC
V SS
V DDQL
NC
I/O 0R
V SS
V DDQR
NC
R
T
V SS
INT R
PIPE/ FT R
NC
A 15R
A 11R
A 7R
LB R
V DD
OE R REPEAT R
A 3R
A 0R
V DD
OPT R
NC
I/O 0L
U
5652 drw 02c
NOTES:
1. Pin is a NC for IDT70T3319 and IDT70T3399.
2. Pin is a NC for IDT70T3399.
3. All V DD pins must be connected to 2.5V power supply.
4. All V DDQ pins must be connected to appropriate power supply: 3.3V if OPT pin for that port is set to V DD (2.5V), and 2.5V if OPT pin for that port is
set to V SS (0V).
5. All V SS pins must be connected to ground supply.
6. Package body is approximately 15mm x 15mm x 1.4mm with 0.8mm ball pitch.
7. This package code is used to reference the package diagram.
8. This text does not indicate orientation of the actual part-marking.
9. Pins B14 and R14 will be V REFL and V REFR respectively for future HSTL device.
6.42
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IDT70T3509MS133BP IC SRAM 36MBIT 133MHZ 256BGA
IDT70T3519S133DRI IC SRAM 9MBIT 133MHZ 208QFP
IDT70T3539MS166BCG IC SRAM 18MBIT 166MHZ 256BGA
IDT70T3719MS166BBG IC SRAM 18MBIT 166MHZ 324BGA
IDT70T633S10BCI IC SRAM 9MBIT 10NS 256BGA
IDT70T651S12DRI IC SRAM 9MBIT 12NS 208QFP
IDT70T653MS12BCI IC SRAM 18MBIT 12NS 256BGA
IDT70V05L55G IC SRAM 64KBIT 55NS 68PGA
相关代理商/技术参数
IDT70T3399S133BC 功能描述:IC SRAM 2MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70T3399S133BC8 功能描述:IC SRAM 2MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70T3399S133BCI 功能描述:IC SRAM 2MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70T3399S133BCI8 功能描述:IC SRAM 2MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70T3399S133BF 功能描述:IC SRAM 2MBIT 133MHZ 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70T3399S133BF8 功能描述:IC SRAM 2MBIT 133MHZ 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70T3399S133BFI 功能描述:IC SRAM 2MBIT 133MHZ 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70T3399S133BFI8 功能描述:IC SRAM 2MBIT 133MHZ 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)